H/F Epitaxie et Technologie des dispositifs VCSEL sur des substrats en germanium

 
Published
WorkplaceToulouse, Midi-Pyrénées, France
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Position
Centre National de la Recherche Scientifique

H/F Epitaxie et Technologie des dispositifs VCSEL sur des substrats en germanium

Cette offre est disponible dans les langues suivantes :
Français - Anglais

Date Limite Candidature : mardi 30 août 2022

Informations générales

Référence : UPR8001-GUIALM-005
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : mardi 9 août 2022
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 18 mois
Date d’embauche prévue : 1 octobre 2022
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : entre 2757 et 3176€ brut mensuel selon expérience
Niveau d’études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : 1 à 4 années

Missions

Les lasers à émission de surface à cavité verticale (VCSEL) à base de semi-conducteurs III-V sont aujourd’hui largement utilisés dans l’industrie photonique, notamment dans les systèmes de communication à courte distance, les LIDAR, les capteurs de temps de vol, les véhicules autonomes, les robots et les drones. Ce projet européen HORIZON porte sur la conception, la fabrication et la mise en œuvre d’une nouvelle épi-structure VCSEL développée sur des substrats de germanium (Ge) au lieu de l’arséniure de gallium (GaAs) traditionnel. Les objectifs scientifiques sont de maîtriser la croissance épitaxiale et la technologie de traitement des dispositifs du Ge-VCSEL, d’améliorer les propriétés spectrales et de faisceau du VCSEL, y compris l’orientation du faisceau, et de l’intégrer aux technologies CMOS et de miniaturisation. La nouvelle technologie Ge-VCSEL sera mise en œuvre dans deux cas d’utilisation orientés vers les applications, démontrant l’établissement de plateformes d’intégration, aidant les entreprises utilisatrices potentielles pour l’automobile et la détection 3D.
L’un des avantages potentiels est l’intégration potentielle avec la plateforme technologique Si et les circuits intégrés photoniques (PICs) en utilisant des couches épitaxiales de Ge cultivées sur Si comme substrats pour la production épitaxiale de VCSEL. L’objectif du projet est le développement de la nouvelle technologie industrielle VCSEL en utilisant des substrats Ge de grand diamètre.

Activités

Les principaux objectifs de ce Post-Doc sont :
  • d’optimiser l’épitaxie des matériaux VCSEL GaAs/AlGaAs par la technique MBE qui joue un rôle majeur dans la performance et la fiabilité du laser.
    La croissance MBE de structures VCSEL sur des plaquettes Ge sera réalisée en mettant en œuvre différentes techniques de mesure in-situ en temps réel, telles que la réflectométrie optique, la courbure des plaquettes, et le contrôle de surface RHEED. La motivation est d’étudier les mécanismes de croissance sur le Ge par rapport au GaAs, d’améliorer le contrôle et la qualité des couches épithéliales et, par conséquent, de bénéficier de la qualité épithéliale et de contribuer à l’amélioration du rendement de la fabrication.
  • Prendre en charge la fabrication technologique des VCSELs à pompage électrique, en développant et en ancrant les étapes du processus jusqu’au développement d’un flux de processus complet et fiable. Cela sera prolongé par des études de recherche portant sur de nouvelles fonctionnalités laser, basées sur les configurations de VCSELs à cavité couplée et à résonance Fano, qui nécessitent des développements technologiques spécifiques afin de réaliser les propriétés optiques singulières pour l’actionnement et/ou la mise en forme des propriétés du faisceau.
  • caractériser les structures multicouches AlGaAs cultivées sur Ge et comparer les performances des dispositifs Ge-VCSEL et GaAs-VCSEL.
  • travailler en collaboration et en coordination avec les autres membres du projet européen.

Compétences

Le candidat doit être titulaire d’un doctorat et doit avoir une solide expérience pratique des technologies utilisées en salle blanche pour le traitement des dispositifs optoélectroniques à base de III-V. Il doit également avoir une bonne connaissance de la physique et de la chimie des matériaux. Une connaissance approfondie de la physique et de la conception des composants optoélectroniques, notamment des lasers à cavité verticale, est également requise.

Contexte de travail

Localisation : LAAS-CNRS Toulouse, environ700 personnes
Equipe d’accueil : Photonique
Accompagnement possible d’étudiants en master et en thèse

Contraintes et risques

Travail en salle blanche (Risques chimiques)
Formation complète délivrée pour autorisation de travail en salle blanche
Caractérisation optique (risque laser : formation dispensée obligatoire)
In your application, please refer to myScience.org and reference JobID 2347071.