IR H/F - Matériaux de Mott à la nanoéchelle pour des systèmes neuromorphiques

Published
WorkplaceNantes, Poitou-Charentes, France
Category
Position
Centre National de la Recherche Scientifique

IR H/F - Matériaux de Mott à la nanoéchelle pour des systèmes neuromorphiques

Date Limite Candidature : jeudi 27 juin 2024

Assurez-vous que votre profil candidat soit correctement renseigné avant de postuler

Informations générales

Intitulé de l’offre : IR H/F - Matériaux de Mott à la nanoéchelle pour des systèmes neuromorphiques
Référence : UMR8520-PASDIE-002
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : jeudi 6 juin 2024
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 13 mois
Date d’embauche prévue : 16 septembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : A partir de 3035 ¤ bruts mensuels
Niveau d’études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : 1 à 4 années
BAP : Sciences de l’Ingénieur et instrumentation scientifique
Emploi type : Ingénieur-e en techniques expérimentales

Missions

Les systèmes neuromorphiques sont très prometteurs pour réduire la consommation d’énergie et créer de nouvelles applications hors de portée des ordinateurs conventionnels. À ce jour, chaque neurone artificiel est composé de milliers de transistors. L’utilisation d’isolants de Mott, une classe de matériaux aux propriétés non linéaires fascinantes, pourrait réduire de manière significative la complexité du circuit, en réduisant le nombre de composants par neurone et par synapse à un seul.
Le présent projet postdoctoral vise à développer une écriture de circuit accessible, en balayant une pointe conductrice polarisée à l’échelle nanométrique. Cela a déjà été démontré par microscopie à effet tunnel (STM), et pourrait également être réalisé en utilisant un microscope à force atomique équipé d’une pointe conductrice (C-AFM). Une bonne compréhension et un contrôle des transitions électro-induites dans les matériaux de Mott (cristaux de GaTa4Se8 ou TaS2, films de V2O3 ou TaSe2) seront d’abord développés. L’objectif du projet est la réalisation de circuits neuromorphiques monolithiques complets par impulsion électrique à la surface des matériaux de Mott.
La bourse est financée par le CPER IMITECH.

Activités

Développement de procédés par C-AFM et STM sur les semi-conducteurs de Mott.

Compétences

Un doctorat en physique ou dans une discipline connexe et une expérience en physique de l’état solide sont requis. Le candidat F/H aura une expérience avérée dans tous les domaines suivants :
  • Microscopie et spectroscopie en champ proche STM/S
  • Microscopie à force atomique conductrice C-AFM
  • Systèmes électroniques fortement corrélés

Contexte de travail

L’IEMN est un institut de recherche créé par le Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), deux universités et une école d’ingénieurs de la région Nord de la France. L’IEMN fait partie du réseau RENATECH et à ce titre, les équipements pour la conception, la fabrication et la caractérisation des micro/nano dispositifs sont au meilleur niveau européen. L’institut compte un effectif total d’environ 500 personnes dont 150 chercheurs permanents, 100 ingénieurs et agents administratifs, environ 150 doctorants. Le laboratoire est très ouvert aux collaborations internationales ; plus de 100 scientifiques étrangers provenant de 20 pays différents travaillent actuellement à l’IEMN. L’activité scientifique de l’IEMN couvre un large domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux micro-ondes, aux télécommunications et à l’instrumentation acoustique.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l’autorité compétente du MESR.
In your application, please refer to myScience.org and reference JobID 2899693.